Spoločnosť DRAMeXchange uviedla, že cena kontraktu DRAM v auguste tohto roku bola rovnaká ako v predchádzajúcom mesiaci a priemerná cena 8 GB DDR4 dosiahla 25,5 USD. Aj keď sa o septembrovej zmluvnej cene stále rokuje, je pravdepodobné, že zostane rovnaká. Vzhľadom na orientáciu troch hlavných výrobcov DRAM do roku 2020 sa odhad kapitálových výdavkov v porovnaní s týmto rokom zníži najmenej o 10%. Ročný rast produkcie v budúcom roku je tiež najnižší za posledných 10 rokov, iba 12,5%, čo vytvára určitý základ pre cenové oživenie.
Čo sa týka trhu, so súhlasom japonskej vlády vyvážať kľúčové polovodičové suroviny sa obchodná otázka medzi Japonskom a Južnou Kóreou začala v júli, ale počas tohto obdobia boli zákazníci OEM ovplyvnení neistými faktormi a očakávanými psychologickými faktormi, ktoré spôsobili zásoby zásob stúpajú. Hladina zásobnej vody postupne klesala a smerovala k normálnym hladinám vody.
Okrem toho sa tretia sezóna zhoduje s tradičnou sezónou sezóny a Spojené štáty americké začnú uplatňovať tarify na elektronické výrobky vyvážané na niektoré kontinenty začiatkom decembra, čo má tiež skorý účinok na prepravu. Dopyt je silnejší, ako sa očakávalo, čo umožňuje výrobcom DRAM vyjednávať ceny. Tento postoj bol pevnejší a celková cena v treťom štvrťroku zvrátila pôvodný pokles a ustálila sa.
Jibang ďalej analyzoval, že plán rozširovania troch hlavných pôvodných tovární DRAM sa stal konzervatívnym. Napríklad závod Samsung Pyeongtaek II sa blíži k dokončeniu, ale do komerčného prevodu vstúpi až v druhom štvrťroku 2020 a novo pridané zariadenie iba podporuje prechod na budúci nano-proces 1Z, celkové množstvo filmu bude byť zhruba rovnaká ako tento rok.
Najnovšia elektráreň SK Hynix M16 bude dokončená v druhej polovici budúceho roka. Najrýchlejší nárast výrobnej kapacity bude do roku 2021 a starý závod M10 sa postupne zmení na OEM. Odhaduje sa, že celkový objem výroby DRAM sa v budúcom roku nezvýši ani nezníži.
Závod na výrobu F, ktorý tento rok pridala spoločnosť Micron, v závode v Hirošime, má tiež podporovať prechod na nano-proces 1Z. Celková kapacita závodu v Hirošime sa nezvýšila. Nový závod A3, ktorý vyrába spoločnosť Micron Storage na Taiwane, tiež podporí proces 1Znm v počiatočnej fáze a v krátkom čase zvýši výrobu. Táto príležitosť nie je veľká, spoločnosť Jibang sa však domnieva, že základňa závodu A3 nie je malá a v budúcnosti je stále možné nové kapacity.
Pokiaľ ide o pozemkové závody, v súčasnosti existujú dve výrobné základne DRAM. Väčší Hefei Changxin bol uvedený do výroby. Počiatočné produkty sú hlavne DDR4 8Gb. V prvej polovici budúceho roka budú k dispozícii produkty LPDDR4 8Gb, ktoré budú pokračovať v sériovej výrobe, ale očakáva sa, že prídu. V roku 2021 bude mať výrobná kapacita príležitosť dosiahnuť 100 000 alebo viac plného zaťaženia.
Aj keď bol zákaz Fujian Jinhua ovplyvnený zákazom v USA, technické vybavenie v USA sa nedalo udržiavať inžiniermi v továrni, interní pracovníci sa však pokúsili prispôsobiť parametre svojej vlastnej optimalizácii. Očakáva sa, že film bude v budúcom roku do 10 000 kusov.
Celkovo spoločnosť Jibang odhaduje, že v roku 2020 bude objem investícií na pevnine do DRAM predstavovať menej ako 3% celosvetových investícií a výsledky nezávislej výroby zostanú obmedzené. V budúcnosti musí priemysel pevninskej pamäte aj naďalej prekonávať problémy spojené s výnosom, konštrukciou strojov a IP a malo by sa naďalej pozorovať presné načasovanie vplyvu na celkové dodávky priemyslu DRAM.