Podľa priemyselných zdrojov citovaných ZDNet, Samsung Electronics znovu prehodnocuje účel NRD-K Linky 2, ktorá je v stavbe na jeho areáli v Giheung. Spoločnosť zvažuje konverziu pôvodne plánovanej výskumno-vývojovej linky na výrobnú linku zameranú na výrobu základných čipov logiky 2nm pre pamäť s vysokou šírkou pásma (HBM) novej generácie. Tento krok má pripraviť na rýchlo rastúcu budúcu dopyt po HBM od hlavných zákazníkov, ako je Nvidia.
Podľa priemyselných zdrojov citovaných ZDNet, Samsung Electronics znovu prehodnocuje účel NRD-K Linky 2, ktorá je v stavbe na jeho areáli v Giheung. Spoločnosť zvažuje konverziu pôvodne plánovanej výskumno-vývojovej linky na výrobnú linku zameranú na výrobu základných čipov logiky 2nm pre pamäť s vysokou šírkou pásma (HBM) novej generácie. Tento krok má pripraviť na rýchlo rastúcu budúcu dopyt po HBM od hlavných zákazníkov, ako je Nvidia.
NRD-K Linka 2 bola pôvodne navrhnutá na pokročilý vývoj procesov. Podľa najnovšieho plánu by zariadenie malo primárne dodávať základné čipy pre prispôsobené HBM produkty a HBM5 po uvedení do prevádzky. Samsung sa rozhodol vyrábať základné čipy HBM5 pomocou 2nm procesu založeného na svojej architektúre gate-all-around (GAA). Očakáva sa, že produkty novej generácie dosiahnu rýchlosti prenosu dát o viac ako 50% vyššie ako HBM4E, čo spôsobuje, že konvenčné návrhy základných čipov už nedokážu splniť požiadavky na šírku pásma a spotrebu energie. Seoul Economic Daily predtým uviedol, že Samsung verejne zverejnil podrobnosti o svojom riešení HBM5 po prvýkrát v júni tohto roku.
Linka by mala začať prevádzku v druhej polovici 2028. Zdroje uviedli, že vzhľadom na to, že zariadenie je relatívne malé, pravdepodobne bude fungovať podľa modelu „send-fab“ ako pomocná výrobná továreň. Namiesto toho, aby spravovalo celý proces výroby wafrov nezávisle, dostane wafre z hlavných výrobných liniek Samsungu a vykoná iba vybrané procesné kroky. Zariadenie by doplnilo kapacitu pokročilých uzlov Samsungu namiesto toho, aby fungovalo ako kompletná samostatná výrobná linka.
Projekt zostáva približne dva roky od svojho plánovaného uvedenia do prevádzky a konečný plán ešte nebol schválený. Hoci je interný návrh vo veľkej miere pripravený, objednávky na nákup zariadení neboli vydané. Výška investície a konečný účel zariadenia môžu byť stále prispôsobené v reakcii na zmeny v dopyte na trhu polovodičov.
NRD-K je integrovaný pokročilý výskumno-vývojový komplex, ktorý buduje Samsung s investíciou približne 20 triliónov wonov. Miesto je naplánované na tri výrobné linky. Linka 1 bola dokončená na konci roku 2024, zatiaľ čo predbežná príprava miesta pre Linku 2 začala tento rok a práca na základoch je momentálne v plnom prúde.
Potenciálna konverzia R&D linky na špecializovanú výrobnu linku pre základné čipy HBM od Samsungu odráža jeho stratégiu posilnenia koordinácie medzi svojimi pamäťovými a výrobnými podnikmi. HBM5 a prispôsobené HBM produkty navrhnuté pre Nvidia nové generácie Feynman GPU budú vyžadovať vysokovýkonné základné čipy logiky. Ak Samsung dokáže tieto základné čipy 2nm vyrábať interne, môže posilniť svoju konkurenčnú pozíciu a získať väčšiu kontrolu nad výrobnou kapacitou pre kľúčovú súčasť HBM.