Spoločnosť Samsung údajne plánuje nasadiť päť nových nástrojov EUV určených pre jej obchod s pamäťami a vytvoriť špecializované výrobné linky na zlepšenie efektívnosti a zamerania procesov.Táto investícia je v súlade s jej nedávnym krokom k rozšíreniu kapacity High NA EUV v rámci jej zlievarenských operácií, čo podčiarkuje dvojstopú stratégiu spoločnosti Samsung v oblasti výroby pamätí a logiky.
Zasvätenci z odvetvia poznamenávajú, že zlievareň a pamäťové továrne spoločnosti Samsung v Pyeongtaeku predtým zdieľali systémy EUV.Nový plán poskytuje pamäťovej divízii exkluzívny prístup k piatim vyhradeným systémom.Medzitým budú dva systémy High NA EUV podporovať 2nm výrobu – jeden v závode Hwaseong a druhý potenciálne v továrni Taylor v Texase – v závislosti od nových objednávok od veľkých severoamerických klientov.
Priemyselné údaje ukazujú, že štandardný systém EUV stojí približne 300 miliárd KRW (približne 1,5 miliardy RMB), zatiaľ čo systém High NA EUV stojí približne 550 miliárd KRW (približne 2,8 miliardy RMB).Celkové výdavky spoločnosti Samsung na EUV sa preto odhadujú na približne 2,6 bilióna KRW.Táto odvážna investícia odzrkadľuje jej odhodlanie držať krok so spoločnosťou SK Hynix, ktorá tiež do roku 2026 zvyšuje kapacitu EUV a DRAM.
Najnovšie rozšírenie EUV od spoločnosti Samsung rozšíri výrobu tradičných DRAM aj pokročilých produktov HBM – kľúčových technológií v závode polovodičov riadených AI.
Správy naznačujú, že spoločnosť Samsung investuje približne 1,1 bilióna KRW do nákupu najnovšieho litografického stroja ASML s vysokou NA EUV – Twinscan EXE:5200B – s jednou jednotkou naplánovanou na dodanie na koniec roka 2025 a druhou začiatkom roka 2026. Ide o prvé plné výrobné využitie nástrojov High NA EUV spoločnosťou Samsung po obmedzenom nasadení H&D.
V porovnaní s konvenčnými systémami EUV poskytujú litografické stroje novej generácie s vysokou NA EUV 1,7× jemnejšie obvodové vzory a 2,9× vyššiu hustotu tranzistorov.So 40% zlepšením v optickej presnosti môžu produkovať hustejšie, energeticky efektívnejšie a výkonnejšie čipy – kritické pre 2nm zlievarenské procesy a pokročilú výrobu pamätí.
Prijatie High NA EUV spoločnosťou Samsung predstavuje po dvoch rokoch zdržanlivosti rozhodujúci posun v jej stratégii kapitálových výdavkov.Zabezpečením týchto nástrojov pred TSMC Samsung demonštruje obnovenú dôveru vo svoje výrobné schopnosti.TSMC ich údajne plánuje predstaviť až vo svojom 1,4nm uzle.Intel a SK Hynix tiež prijali technológiu High NA EUV, ale nasadenie spoločnosti Samsung v rámci zlievarenských a pamäťových operácií zdôrazňuje jej hlboko koordinovaný prístup k inováciám logiky a pamäte.
Očakáva sa, že Samsung použije systémy High NA EUV pre svoj 2nm zlievarenský uzol, ktorý bude potenciálne slúžiť veľkým kontraktom, ako je 22 biliónový polovodičový projekt Tesly KRW AI6.Pri výrobe pamätí bude rovnaká technológia podporovať vývoj vertikálnych kanálových tranzistorov (VCT) DRAM a šiestej generácie HBM4.Samsung v súčasnosti vedie v HBM4 s prenosovou rýchlosťou 11 Gbps.
Na konferencii o polovodičoch v San Jose 14. októbra spoločnosť Samsung oznámila svoj plán HBM4E novej generácie, ktorý sa zameriava na rýchlosť prenosu dát na pin 13 Gbps.Analytici sa domnievajú, že spoločné úsilie spoločnosti – pokrývajúce investície High NA EUV, vyhradené linky na výrobu pamätí a plán HBM4E – jasne naznačuje, že Samsung sa pripravuje naplno, aby viedol nadchádzajúci pamäťový supercyklus.