Greet Storms, senior viceprezident a vedúci správy produktov High-NA EUV v ASML, nedávno uviedol, že lithografické systémy High-NA EUV rýchlo napredujú smerom k výrobe s vysokým objemom, alebo HVM. Ako sa objemy expozície zákazníkov zvyšujú po celom svete, ASML optimalizovalo technológiu, aby dosiahlo produktivitu flotily na úrovniach pripravených na výrobu, pričom vytvorilo nákladovo efektívnu cestovnú mapu škálovania pre polovodičový priemysel na ďalšie desaťročie.
Celosvetové expozície wafrov presahujú 1,35 milióna, keď systémy preukazujú výkon HVM
Storms uviedol, že kumulatívne expozície wafrov v celosvetovej flotile systémov High-NA EUV, alebo EXE, presiahli 1,35 milióna, čo urýchľuje učenie procesov a pripravenosť na HVM. Kvalifikovaný systém EXE:5200B dosiahol priepustnosť 135 wafrov za hodinu počas prijímacích testov, čo preukazuje produktivitu potrebnú pre výrobu s vysokým objemom. Desiatky systémov High-NA EUV nainštalovaných na štyroch zákazníckych miestach sú momentálne v prevádzke po celom svete, zatiaľ čo tri ďalšie systémy sa prepravujú alebo inštalujú.
Systémy tiež preukázali silnú presnosť prekrytia strojov strojom a výkon zaostrenia. Dostupnosť v celosvetovej flotile High-NA EUV sa zvýšila na 84 % a očakáva sa, že do konca roku 2026 dosiahne 90 %, pričom dlhodobým cieľom je 93 %. Na základe skúseností z už etablovanej platformy NXE, ASML zlepšilo diagnostické schopnosti a zaviedlo opatrenia na prevenciu opakujúcich sa porúch, čo zvyšuje stabilitu prevádzky systémov.
High-NA EUV vstupuje do výroby logických čipov a znižuje náklady na pokročilé procesy cez jednopatterning
Storms tiež uviedol, že High-NA EUV dosiahlo významný míľnik so svojím prvým použitím vo výrobe logických čipov s vysokým objemom. Pre škálovanie pamäte by mohlo High-NA snímanie podporiť pokračujúci vývoj až piatich budúcich 2D DRAM procesných uzlov.
V porovnaní s 0,33-NA EUV, ktorý môže vyžadovať zložité a nákladné procesy s viacerými vzormi, vyššie rozlíšenie systémov 0,55-NA umožňuje produkovať viac vrstiev pomocou jednopatterningu. Nahradenie viacerých patterningov jednou expozíciou môže znížiť zložitosti procesu, miery defektov, cyklický čas a celkové výrobné náklady pri zachovaní výkonu procesu a hospodárskej životaschopnosti pri menších vzdialenostiach.
ASML tiež vyvinulo inžinierske riešenia pre technické výzvy spojené s výrobou v objemoch. Platforma EXE využíva algoritmy na vyrovnávanie die, korekciu zaostrenia a dizajn svorky wafra s rozmermi 148 mm na zabezpečenie očakávanej hĺbky zaostrenia väčšej ako 30 nm pri zachovaní výkonnosti kontroly porovnateľnej s platformou NXE.
Na riešenie obmedzenia expozície polovičného poľa High-NA EUV ASML používa 175 μm zónu kompenzácie šitia navrhnutú pre výrobu s vysokým objemom, ktorá poskytuje väčšiu flexibilitu dizajnu. V aplikáciách DRAM je šitie potrebné len pre návrhy čipov s určitými konfiguráciami stĺpcov s nepárnym číslom, zatiaľ čo konfigurácie s párnym číslom šitie nevyžadujú.
High-NA EUV tiež vytvára nové dizajnové možnosti pre 2D usporiadania čipov. Jeho vyšší kontrast snímania umožňuje vytvárať menšie vzdialenosti jednou expozíciou, čo zlepšuje trasovanie prepojov a potenciálne znižuje celkový počet potrebných kovových vrstiev. Napríklad jednopatternované 2D kovové usporiadanie by mohlo nahradiť zložitejšiu štruktúru, ktorá predtým vyžadovala dve kovové vrstvy a jednu viazaciu vrstvu, čím sa zvyšuje hustota logických buniek a zlepšuje efektivita dizajnu.
Priepustnosť cielená na dosiahnutie 180 WPH na stabilnej 10-ročnej platforme
Do budúcnosti plánuje ASML pokračovať v zvyšovaní priepustnosti svojej platformy EXE, keď prechádza z EXE:5200B na ďalšiu generáciu EXE:5400E. Zvýšením výkonu EUV zdroja z 600 W na 1 000 W, zrýchlením manipulácie s waframi a retikulami a zavedením riešenia PEP sa ASML snaží zvýšiť priepustnosť testovania prijatia na 180 wafrov za hodinu do roku 2030.
Storms dodal, že ASML vytvorila komplexnú cestovnú mapu pre svoju technológiu 0,55-NA EUV, pričom stabilná architektúra platformy by mala podporovať viac ako desaťročný vývoj. Kombinovaním vyššieho rozlíšenia, schopnosti jednopatterningu, zvýšenej produktivity a väčšej flexibility dizajnu je platforma umiestnená na podporu dlhodobých plánov rozširovania pokročilých uzlov polovodičového priemyslu.